《固体电子学研究与进展》Research & Progress of SSE（双月）是南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊（双月刊），向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频/微波器件和集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文。

在科技期刊评审中，《固体电子学研究与进展》多次获得部属电子优秀期刊奖，获江苏省第一届、第二届、第三届、第四届优秀期刊奖和第二届华东地区优秀期刊奖。

1992年、1996年、2000年、2004年、2008年、2011年、2014年七度被《中文核心期刊要目总览》列为相关专业的中文核心期刊，被中国科学院文献情报中心列为科技核心期刊。

本刊被以下数据库收录：美国《化学文摘》、荷兰《Scopus》。《中国科学引文数据库》、《中国学术期刊综合评价数据库》、《中国学术期刊网络出版总库》（独家收录）和《中国期刊网》。

固体电子学研究与进展杂志核心期刊栏目设置：

设有器件物理与器件模拟，宽禁带半导体，射频与微波，光电子学，微电子机械系统，硅微电子学，材料与工艺等栏目。面向固体物理和微电子学领域的科研人员、院校师生等。

固体电子学研究与进展杂志核心期刊论文发表须知：

1、来稿要求主题突出，论据充分，内容新颖、创新、实用。来稿采用A4幅面，双栏排列，5号字体，每页40行，每行大约39个汉字，来稿控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景、原创性、先进性与指导意义。本刊接收中、英文稿件。投稿方式：本刊尚未开通在线投稿系统，也未与任何网站及提供论文发表服务的中介合作征稿，作者请直接发送电子稿至gtdz@Chinajournal.net.cn    或    gtdzx2013@163.com，或邮寄稿件至：南京市1601信箱43分箱,邮编210016。
    2、标题（中、英文对照）：中文标题控制在20个汉字以内；英文标题最多为400个字符。
    3、作者姓名（中文、汉语拼音对照）：作者姓名汉语拼音的写法为姓在前、名在后，姓氏的全部字母均大写，名字的首字母大写。
    4、作者单位（中、英文对照）：作者单位需给出所有作者的工作单位全称、所在省、市及邮政编码，英文部分还应在邮编之后加上国别代码“CHN”。
    5、摘要（中、英文对照）：摘要应能反映文章主要内容，应能给读者关于文章内容的足够信息，它包括研究的目的、方法、结果和结论。有关论文的背景信息、作者过去的研究及将来的计划和工作意义都不应在摘要中出现。中文摘要不超过300个汉字；英文摘要不超过150个单词（含介词），不出现“It is reported，Extensive investigotion shows that …”词句。
    6、关键词（中、英文对照3-8个）：中文关键词应使用中文全称，尽量不采用英语缩略语。中、英文各关键词之间用分号隔开。在中文关键词的下方给出论文的中图分类号。
    7、基金项目：在正文首页下方，按照国家有关部门规定的正式名称写明基金项目，并在圆括号内注明其项目编号。多项基金项目应依次列出，其间用分号隔开。
    8、联系作者：在正文首页下方，给出第一作者或联系人的E-mail，如第一作者为研究生，宜将导师作为联系人。
    9、插图与表格：应安排在文中的相应位置，图表均应清晰可辨。图题、表题需中、英文对照，图、表内的中文词均改为英文，插图希控制在10幅以内。
    10、参考文献：按文中引用次序排列（引用处应加上角码（[  ]），按GB/T7714-2005著录，顺序为：
    a.期刊：作者.篇名（文题）[J].期刊名称，出版年；卷号（期号）：起止页
    b.专著：作者.书名[M].出版地：出版者，出版年；起止页
c.会议录、论文集：作者.文题 [C].文集编者. 会议录或论文集名，出版地：
出版者，出版年；起止页
    d.学位论文：作者.文题 [D]. 学位授予单位，编号或缩微制品序号，年份
    文献中作者项：姓在前、名在后，去缩写点；3人以下应全列出，4人以上则只列出3人后再加上“等”（et al.）。
    示例：
    [1]韩军，柴长春，杨银堂，等. 存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET 温度特性研究[J]. 固体电子学研究与进展， 2004, 24(3): 275-280.
    [2] Wang Sanwu , Dhar S , Wang Shurui, et al. Bonding at the SiC-SiO2 Interface and Effects of Nitrogen and Hydrogen[J]. Physics Review Letters, 2007, 98 (026101): 1-4.
    [3] Afanas＇ev  V V, Bassler M, Pensl G, et al. Intrinsic SiO2/SiC interface states[J]. Physica Status Solidi(a), 1997, 162: 321-337.
    [4]Guillermo Gonzalez.微波晶体管放大器分析与设计[M].清华大学出版社，2003：338-361.
    [5] Tosic N，Pesic B，Stojaclinovic N， Reliability testing of  power VDMOS transistors [C].Proc 21st  International Conference on Microelectronics，1997：667-670.
    11、作者简介：文稿最后应有作者简介及电子版照片（限3位），内容包括：姓名、性别、出生年月、职称或职务、学历、现从事何种研究。
    12、文稿中使用的名词术语、符号、计量单位要前后一致，符合国家有关标准（SI单位）。文中专业符号、大小写、英文与希腊文和正、斜体都要标写清楚，用作上下角的字母、数码和符号，其高低层次分明。 
    13、来稿不得涉及国家机密，涉及者应有单位证明。来稿请写明详细地址（邮政编码）及联系人和电话号码，有电子邮件信箱的也请留下信箱地址。来稿切勿一稿多投。来稿无论录用与否，本刊均会通知作者。
    14、为适应我国信息化建设，扩大本刊及作者知识信息交流渠道，本刊已被《中国学术期刊网络出版总库》及CKNI系列数据库收录，其作者文章著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。免费提供作者文章引用统计分析资料。如作者不同意文章被收录，请在来稿时向本刊说明，本刊将作适当处理。